N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M

Nr. stoc RS: 125-0554Producator: ToshibaCod de producator: TK25A60X5,S5X(M
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

TO-220SIS

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M
Informatii indisponibile despre stoc

2

Disponibil in multiplu de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

TO-220SIS

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

45 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe