Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155

Nr. stoc RS: 146-4096Producator: ON SemiconductorCod de producator: FCH040N65S3-F155
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247

Serie

SuperFET III

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

417 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V ac/dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

16.26mm

Typical Gate Charge @ Vgs

136 @ 10 V nC

Latime

5.3mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

21.08mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3-F155
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-247

Serie

SuperFET III

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

40 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

417 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V ac/dc

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

16.26mm

Typical Gate Charge @ Vgs

136 @ 10 V nC

Latime

5.3mm

Number of Elements per Chip

2

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

21.08mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe