MagnaChip MPMC100B120RH, 7DM-2 , N-Channel Series IGBT Module, 100 A max, 1200 V, Panel Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MagnaChipMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
694 W
Tip pachet
7DM-2
Configuration
Series
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Switching Speed
70kHz
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 48 x 22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Korea, Republic Of
Detalii produs
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
1
P.O.A.
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
MagnaChipMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
694 W
Tip pachet
7DM-2
Configuration
Series
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Switching Speed
70kHz
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 48 x 22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Korea, Republic Of
Detalii produs
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse