Infineon BSM200GA120DN2HOSA1 Single IGBT Module, 300 A 1200 V, 5-Pin 62MM Module, Panel Mount

Nr. stoc RS: 170-2163Producator: InfineonCod de producator: BSM200GA120DN2HOSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

300 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1550 W

Tip pachet

62MM Module

Configuration

Single

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

5

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

106.4 x 61.4 x 36.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Singapore

Detalii produs

IGBT Modules, Infineon

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 215,52

Each (In a Tray of 10) (fara TVA)

€ 256,469

Each (In a Tray of 10) (cu TVA)

Infineon BSM200GA120DN2HOSA1 Single IGBT Module, 300 A 1200 V, 5-Pin 62MM Module, Panel Mount

€ 215,52

Each (In a Tray of 10) (fara TVA)

€ 256,469

Each (In a Tray of 10) (cu TVA)

Infineon BSM200GA120DN2HOSA1 Single IGBT Module, 300 A 1200 V, 5-Pin 62MM Module, Panel Mount
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Maximum Continuous Collector Current

300 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

1550 W

Tip pachet

62MM Module

Configuration

Single

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

5

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

106.4 x 61.4 x 36.5mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Tara de origine

Singapore

Detalii produs

IGBT Modules, Infineon

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe