DiodesZetex DGTD65T15H2TF IGBT, 30 A, 60 (Pulsed) A 650 V, 3-Pin ITO-220AB, Through Hole

Name: DiodesZetex DGTD65T15H2TF IGBT, 30 A, 60 (Pulsed) A 650 V, 3-Pin ITO-220AB, Through Hole
Brand: DiodesZetex
SKU: 1826871

Nr. stoc RS: 182-6871Producator: DiodesZetexCod de producator: DGTD65T15H2TF

Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

DiodesZetex

Maximum Continuous Collector Current

30 A, 60 (Pulsed) A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

48 W

Number of Transistors

Tip pachet

ITO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

10.4 x 4.8 x 16.4mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Gate Capacitance

1129pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Tara de origine

China

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

DiodesZetex DGTD65T15H2TF IGBT, 30 A, 60 (Pulsed) A 650 V, 3-Pin ITO-220AB, Through Hole

1000

P.O.A.

DiodesZetex DGTD65T15H2TF IGBT, 30 A, 60 (Pulsed) A 650 V, 3-Pin ITO-220AB, Through Hole

Informatii indisponibile despre stoc

1000

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

DiodesZetex

Maximum Continuous Collector Current

30 A, 60 (Pulsed) A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

48 W

Number of Transistors

Tip pachet

ITO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

10.4 x 4.8 x 16.4mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Gate Capacitance

1129pF

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Tara de origine

China