Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A

Nr. stoc RS: 827-4883PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD18504Q5A
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSONP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 29,75

€ 1,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 35,40

€ 1,416 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A
Selectati tipul de ambalaj

€ 29,75

€ 1,19 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 35,40

€ 1,416 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 8-Pin VSONP CSD18504Q5A
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
25 - 45€ 1,19€ 5,95
50 - 120€ 1,06€ 5,30
125 - 245€ 0,94€ 4,70
250+€ 0,89€ 4,45

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Serie

NexFET

Tip pachet

VSONP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.7 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe