NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Name: NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Brand: NXP
SKU: 6263308

Nr. stoc RS: 626-3308Producator: NXPCod de producator: PMBFJ308,215

Vezi toate produsele din Tranzistoare JFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

NXP

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Numar pini

Dimensiuni

3 x 1.4 x 1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Inaltime

1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Latime

1.4mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Selectati tipul de ambalaj

Standard

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse

Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

NXP

Channel Type

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Numar pini

Dimensiuni

3 x 1.4 x 1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-65 °C

Inaltime

1mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Latime

1.4mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.