Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
13 V
Tip pachet
SOT-343
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
13 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.2 V
Numar pini
4
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
2 x 1.25 x 0.9mm
Detalii produs
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,55
€ 0,17 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 3,03
€ 0,202 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
15
€ 2,55
€ 0,17 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 3,03
€ 0,202 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
15
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
13 V
Tip pachet
SOT-343
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
13 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.2 V
Numar pini
4
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
2 x 1.25 x 0.9mm
Detalii produs
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse