SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Timp de scadere tipic
7µs
Timp de crestere tipic
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4500µA
Maximum Dark Current
1 (≤ 50)nA
Angle of Half Sensitivity
±12 °
Polarity
NPN
Number of Pins
2
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
3mm (T-1)
Dimensiuni
3.1 (Dia.) x 5.2mm
Collector Current
15mA
Diametru
3.1mm
Minimum Wavelength Detected
880nm
Maximum Wavelength Detected
1120nm
Spectral Range of Sensitivity
880 → 1120 nm
Collector Emitter Voltage
35 V
Inaltime
5.2mm
Saturation Voltage
200mV
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Phototransistor T-1 (3mm) Package
This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 320,00
€ 0,16 Buc. (Intr-o punga de 2000) (fara TVA)
€ 380,80
€ 0,19 Buc. (Intr-o punga de 2000) (cu TVA)
2000
€ 320,00
€ 0,16 Buc. (Intr-o punga de 2000) (fara TVA)
€ 380,80
€ 0,19 Buc. (Intr-o punga de 2000) (cu TVA)
2000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared
Timp de scadere tipic
7µs
Timp de crestere tipic
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
4500µA
Maximum Dark Current
1 (≤ 50)nA
Angle of Half Sensitivity
±12 °
Polarity
NPN
Number of Pins
2
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
3mm (T-1)
Dimensiuni
3.1 (Dia.) x 5.2mm
Collector Current
15mA
Diametru
3.1mm
Minimum Wavelength Detected
880nm
Maximum Wavelength Detected
1120nm
Spectral Range of Sensitivity
880 → 1120 nm
Collector Emitter Voltage
35 V
Inaltime
5.2mm
Saturation Voltage
200mV
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Phototransistor T-1 (3mm) Package
This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse