STMicroelectronics BUL216 NPN Transistor, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,19
€ 3,19 Buc. (fara TVA)
€ 3,80
€ 3,80 Buc. (cu TVA)
1
€ 3,19
€ 3,19 Buc. (fara TVA)
€ 3,80
€ 3,80 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,19 |
| 10 - 99 | € 2,67 |
| 100 - 249 | € 2,06 |
| 250 - 499 | € 2,00 |
| 500+ | € 1,74 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Detalii produs
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse