Semikron Danfoss SKM200GB12E4 Dual Half Bridge IGBT Module, 314 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3, Panel Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
314 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS3
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
106.4 x 61.4 x 30mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Latime
61.4mm
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 254,70
€ 254,70 Buc. (fara TVA)
€ 303,09
€ 303,09 Buc. (cu TVA)
1
€ 254,70
€ 254,70 Buc. (fara TVA)
€ 303,09
€ 303,09 Buc. (cu TVA)
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 1 | € 254,70 |
| 2 - 4 | € 239,66 |
| 5 - 9 | € 207,37 |
| 10 - 19 | € 183,59 |
| 20+ | € 172,72 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
314 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS3
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
106.4 x 61.4 x 30mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Latime
61.4mm
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse