STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP18N65M2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 76,00
€ 1,52 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 90,44
€ 1,809 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 76,00
€ 1,52 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 90,44
€ 1,809 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
330 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.6mm
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.75mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse