STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
65 W
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,45
€ 1,49 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,01
€ 1,803 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 7,45
€ 1,49 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,01
€ 1,803 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,49 | € 7,45 |
| 10+ | € 1,40 | € 7,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
65 W
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse