ROHM P-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 RE1C001ZPTL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RE1C001ZP
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.9mm
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.7mm
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,50
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 125) (fara TVA)
€ 8,92
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 125) (cu TVA)
125
€ 7,50
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 125) (fara TVA)
€ 8,92
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 125) (cu TVA)
125
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 125 - 500 | € 0,06 | € 7,50 |
| 625 - 1125 | € 0,06 | € 7,50 |
| 1250 - 3000 | € 0,05 | € 6,25 |
| 3125 - 6125 | € 0,05 | € 6,25 |
| 6250+ | € 0,05 | € 6,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RE1C001ZP
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.9mm
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.7mm
Detalii produs
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse