onsemi FJP13009H2TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
8, 15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 68,00
€ 1,36 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 80,92
€ 1,618 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 68,00
€ 1,36 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 80,92
€ 1,618 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,36 | € 68,00 |
| 100+ | € 1,01 | € 50,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
8, 15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Detalii produs
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse