Infineon IKW08T120FKSA1 IGBT, 16 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
70 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
20kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
600pF
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Energy Rating
2.28mJ
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,96
€ 3,49 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 16,61
€ 4,153 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Standard
4
€ 13,96
€ 3,49 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)
€ 16,61
€ 4,153 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)
Standard
4
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,49 | € 13,96 |
| 20 - 36 | € 3,29 | € 13,16 |
| 40 - 96 | € 3,12 | € 12,48 |
| 100 - 196 | € 2,89 | € 11,56 |
| 200+ | € 2,69 | € 10,76 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMaximum Continuous Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
70 W
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
20kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Gate Capacitance
600pF
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Energy Rating
2.28mJ
Detalii produs
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse