Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,50
€ 1,50 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,92
€ 1,785 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 7,50
€ 1,50 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 8,92
€ 1,785 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,50 | € 7,50 |
| 25+ | € 1,26 | € 6,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Tip pachet
TO-220SIS
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Japan
Detalii produs
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse