Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A

Nr. stoc RS: 827-4909PProducator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD18563Q5A
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

VSONP

Serie

NexFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 31,75

€ 1,27 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 37,78

€ 1,511 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 5
25€ 31,75
30€ 38,10
35€ 44,45
40€ 50,80
45€ 57,15
50€ 63,50
55€ 69,85
60€ 76,20
65€ 82,55
70€ 88,90
75€ 95,25
80€ 101,60
85€ 107,95
90€ 114,30
95€ 120,65

€ 31,75

€ 1,27 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 37,78

€ 1,511 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18563Q5A
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 5
25€ 31,75
30€ 38,10
35€ 44,45
40€ 50,80
45€ 57,15
50€ 63,50
55€ 69,85
60€ 76,20
65€ 82,55
70€ 88,90
75€ 95,25
80€ 101,60
85€ 107,95
90€ 114,30
95€ 120,65

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
25 - 95€ 1,27€ 6,35
100 - 245€ 1,09€ 5,45
250 - 495€ 1,01€ 5,05
500+€ 0,95€ 4,75

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

VSONP

Serie

NexFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

10.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.8mm

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe