STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 3.5 A, 1000 V, 3-Pin TO-247 STW5NK100Z
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,64
€ 5,32 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 12,66
€ 6,331 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
2
€ 10,64
€ 5,32 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 12,66
€ 6,331 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
2
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 5,32 | € 10,64 |
| 4+ | € 5,01 | € 10,02 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Latime
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.75mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.15mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse