STMicroelectronics BDW94C PNP Darlington Transistor, 12 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.1mA
Inaltime
9.15mm
Dimensiuni
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Latime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Detalii produs
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.1mA
Inaltime
9.15mm
Dimensiuni
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Latime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Detalii produs
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse