Nexperia PBSS5230T,215 PNP Transistor, -2 A, -30 V, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
480 mW
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,50
€ 0,25 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 3,02
€ 0,302 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 2,50
€ 0,25 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 3,02
€ 0,302 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-30 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
480 mW
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse