IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT, 430 A 650 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
430 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
625 W
Number of Transistors
1
Tip pachet
TO-247AD
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
5 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
5.2mJ
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 348,90
€ 11,63 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 415,19
€ 13,84 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 348,90
€ 11,63 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 415,19
€ 13,84 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
430 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
625 W
Number of Transistors
1
Tip pachet
TO-247AD
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
5 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Energy Rating
5.2mJ
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse