Diodes Inc MMBTA28-7-F Dual NPN Darlington Transistor, 500 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Latime
1.4mm
Inaltime
1mm
Lungime
3mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 90,00
€ 0,03 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 107,10
€ 0,036 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 90,00
€ 0,03 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 107,10
€ 0,036 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
10000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0005mA
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Latime
1.4mm
Inaltime
1mm
Lungime
3mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse