P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3

Nr. stoc RS: 699-7354Producator: VishayCod de producator: SI9435BDY-T1-E3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

1.55mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
€ 0,785Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)