N-Channel MOSFET, 240 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 onsemi NTA4001NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.65mm
Latime
0.9mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,16
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,19
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
100
€ 0,16
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,19
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
100
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Banda |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,16 | € 16,00 |
| 500 - 900 | € 0,14 | € 14,00 |
| 1000 - 2400 | € 0,13 | € 13,00 |
| 2500 - 4900 | € 0,12 | € 12,00 |
| 5000+ | € 0,11 | € 11,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SC-75
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
1.65mm
Latime
0.9mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse