onsemi MMBFJ111 N-Channel JFET, 15 V, Idss 20mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Latime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Inaltime
1.04mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,28
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,333
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
€ 0,28
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,333
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,28 | € 14,00 |
| 1000+ | € 0,24 | € 12,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Latime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.9mm
Inaltime
1.04mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse