N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V, 4-Pin Power88 onsemi FCMT180N65S3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
Power88
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Latime
8mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 3,41
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 4,058
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 3,41
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 4,058
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 3,41 | € 34,10 |
| 100 - 240 | € 2,64 | € 26,40 |
| 250 - 490 | € 2,55 | € 25,50 |
| 500 - 990 | € 2,47 | € 24,70 |
| 1000+ | € 2,38 | € 23,80 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Tip pachet
Power88
Montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Latime
8mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse