P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ

Nr. stoc RS: 671-0378Producator: ON SemiconductorCod de producator: FDMA530PZ
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

P

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Numar pini

6

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Timp montare

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.75mm

Lungime

2mm

Dimensiune celula

PowerTrench

Latime

2mm

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Tip pachet

MLP

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Marca

ON Semiconductor

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 6.8 A, 30 V, 6-Pin MLP onsemi FDMA530PZ
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

P

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Numar pini

6

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Timp montare

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

0.75mm

Lungime

2mm

Dimensiune celula

PowerTrench

Latime

2mm

Maximum Power Dissipation

2.4 W

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Tip pachet

MLP

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Marca

ON Semiconductor

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe