NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Numar pini
3
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Latime
1.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,13
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 0,13
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,13 | € 1,30 |
| 50 - 90 | € 0,11 | € 1,10 |
| 100 - 240 | € 0,11 | € 1,10 |
| 250 - 490 | € 0,10 | € 1,00 |
| 500+ | € 0,09 | € 0,90 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Numar pini
3
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Latime
1.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse