Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
1 x 3 x 1.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 270,00
€ 0,09 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 321,30
€ 0,107 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 270,00
€ 0,09 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 321,30
€ 0,107 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
1 x 3 x 1.4mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse