N-Channel MOSFET, 67 A, 30 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD1501RH

Nr. stoc RS: 871-4895Producator: MagnaChipCod de producator: MDD1501RH
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

67 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

44.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.7 nC @ 10 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

2.39mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 67 A, 30 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD1501RH
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 67 A, 30 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD1501RH
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

67 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

44.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.7 nC @ 10 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

2.39mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe