N-Channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC International Rectifier IRF7807ZPBF

Nr. stoc RS: 650-4097Producator: International RectifierCod de producator: IRF7807ZPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
€ 0,833Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC International Rectifier IRF7807ZPBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC International Rectifier IRF7807ZPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
€ 0,833Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3
€ 0,833Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)