STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7

Nr. stoc RS: 786-3741PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STL60N10F7
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

PowerFLAT 5 x 6

Serie

STripFET H7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

6.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Inaltime

0.95mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 4,05

€ 0,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,82

€ 0,964 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 4,05
10€ 8,10
15€ 12,15
20€ 16,20
25€ 20,25
30€ 24,30
35€ 28,35
40€ 32,40
45€ 36,45
50€ 40,50
55€ 44,55
60€ 48,60
65€ 52,65
70€ 56,70
75€ 60,75

€ 4,05

€ 0,81 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,82

€ 0,964 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL60N10F7
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

5

Disponibil in multiplu de 5
5€ 4,05
10€ 8,10
15€ 12,15
20€ 16,20
25€ 20,25
30€ 24,30
35€ 28,35
40€ 32,40
45€ 36,45
50€ 40,50
55€ 44,55
60€ 48,60
65€ 52,65
70€ 56,70
75€ 60,75

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

PowerFLAT 5 x 6

Serie

STripFET H7

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

16.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

6.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Inaltime

0.95mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe