onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,75
€ 0,43 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 13,01
€ 0,52 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 10,75
€ 0,43 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 13,01
€ 0,52 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,43 | € 10,75 |
| 100 - 225 | € 0,37 | € 9,25 |
| 250 - 475 | € 0,32 | € 8,00 |
| 500+ | € 0,28 | € 7,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse