Nexperia PBSS4160DPN,115 Dual NPN/PNP Transistor, 1 A, 60 V, 6-Pin TSOP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Tip pachet
TSOP
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
700 mW
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
220 MHz
Numar pini
6
Number of Elements per Chip
2
Dimensiuni
1 x 3.1 x 1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,20
€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 6,19
€ 0,309 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 5,20
€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 6,19
€ 0,309 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Tip pachet
TSOP
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
700 mW
Minimum DC Current Gain
250
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
220 MHz
Numar pini
6
Number of Elements per Chip
2
Dimensiuni
1 x 3.1 x 1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse