Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP

Nr. stoc RS: 892-2302Producator: InfineonCod de producator: BFR360FH6327XTSA1
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

6 V

Tip pachet

TSFP

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

14 GHz

Numar pini

3

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

1.2 x 0.8 x 0.55mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 13,00

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 15,47

€ 0,309 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Selectati tipul de ambalaj

€ 13,00

€ 0,26 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)

€ 15,47

€ 0,309 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)

Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 6 V, 3-Pin TSFP
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

35 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

6 V

Tip pachet

TSFP

Timp montare

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

210 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

15 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

14 GHz

Numar pini

3

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Dimensiuni

1.2 x 0.8 x 0.55mm

Detalii produs

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe