STMicroelectronics BD139 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Tip pachet
SOT-32
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Minimum DC Current Gain
100, 40, 63
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Tara de origine
China
Detalii produs
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 0,63
€ 0,63 Buc. (fara TVA)
€ 0,75
€ 0,75 Buc. (cu TVA)
1
€ 0,63
€ 0,63 Buc. (fara TVA)
€ 0,75
€ 0,75 Buc. (cu TVA)
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 49 | € 0,63 |
| 50 - 99 | € 0,58 |
| 100 - 249 | € 0,53 |
| 250 - 499 | € 0,49 |
| 500+ | € 0,45 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Tip pachet
SOT-32
Timp montare
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Minimum DC Current Gain
100, 40, 63
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Tara de origine
China
Detalii produs
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse