Semikron Danfoss SKM200GB125D Dual Half Bridge IGBT Module, 200 A 1200 V, 3-Pin SEMITRANS3, Panel Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS3
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 464,14
€ 464,14 Buc. (fara TVA)
€ 552,33
€ 552,33 Buc. (cu TVA)
1
€ 464,14
€ 464,14 Buc. (fara TVA)
€ 552,33
€ 552,33 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 1 | € 464,14 |
| 2 - 4 | € 436,73 |
| 5 - 9 | € 417,51 |
| 10 - 19 | € 398,13 |
| 20+ | € 374,57 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS3
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse