Semikron Danfoss SKM100GB12T4 Dual Half Bridge IGBT Module, 160 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2, Panel Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
160 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS2
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 34 x 30.1mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 125,34
€ 125,34 Buc. (fara TVA)
€ 151,66
€ 151,66 Buc. (cu TVA)
1
€ 125,34
€ 125,34 Buc. (fara TVA)
€ 151,66
€ 151,66 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 1 | € 125,34 |
| 2 - 4 | € 117,94 |
| 5 - 9 | € 111,51 |
| 10 - 19 | € 97,41 |
| 20+ | € 91,63 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
160 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Configuration
Dual Half Bridge
Tip pachet
SEMITRANS2
Timp montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 34 x 30.1mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse