onsemi ISL9V3040D3ST IGBT, 21 A 300 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 81,50
€ 1,63 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 96,98
€ 1,94 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 81,50
€ 1,63 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 96,98
€ 1,94 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,63 | € 8,15 |
| 100 - 495 | € 1,40 | € 7,00 |
| 500 - 995 | € 1,22 | € 6,10 |
| 1000+ | € 1,09 | € 5,45 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiMaximum Continuous Collector Current
21 A
Maximum Collector Emitter Voltage
300 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±10V
Maximum Power Dissipation
150 W
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse