N-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV55ENEAR
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
8.36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,39
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,464
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
€ 0,39
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,464
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
Standard
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,39 | € 9,75 |
| 250 - 600 | € 0,21 | € 5,25 |
| 625 - 1225 | € 0,20 | € 5,00 |
| 1250 - 2475 | € 0,20 | € 5,00 |
| 2500+ | € 0,19 | € 4,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
8.36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse