Dual P-Channel MOSFET, 160 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BSS84AKS,115
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,38
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,452
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
30
€ 0,38
Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 0,452
Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
30
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-363
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse