N-Channel MOSFET, 176 A, 100 V, 3-Pin TO 263 Infineon IPB020N10N5ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TO 263
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Latime
11.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.57mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 3,44
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 4,094
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 3,44
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 4,094
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
TO 263
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Latime
11.05mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
4.57mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse