Infineon 2Mbit SPI FRAM Memory 8-Pin DFN, FM25V20A-DG
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMemory Size
2Mbit
Organisation
256K x 8 bit
Interfata
SPI
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
16ns
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
DFN
Numar pini
8
Dimensiuni
5 x 6 x 0.7mm
Lungime
6mm
Latime
5mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Inaltime
0.7mm
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
256K
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Detalii produs
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 19,50
€ 19,50 Buc. (fara TVA)
€ 23,20
€ 23,20 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 19,50
€ 19,50 Buc. (fara TVA)
€ 23,20
€ 23,20 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 19,50 |
| 10 - 24 | € 15,96 |
| 25 - 99 | € 15,38 |
| 100 - 499 | € 14,85 |
| 500+ | € 14,35 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonMemory Size
2Mbit
Organisation
256K x 8 bit
Interfata
SPI
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
16ns
Timp montare
Surface Mount
Tip pachet
DFN
Numar pini
8
Dimensiuni
5 x 6 x 0.7mm
Lungime
6mm
Latime
5mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Inaltime
0.7mm
Temperatura maxima de lucru
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Number of Words
256K
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2 V
Detalii produs
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse