N-Channel MOSFET Transistor, 66 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75333P3

Nr. stoc RS: 294-9626Producator: Fairchild SemiconductorCod de producator: HUF75333P3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

150 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

4.83mm

Inaltime

9.65mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 66 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75333P3

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 66 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Fairchild HUF75333P3
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

66 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

16 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

150 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

4.83mm

Inaltime

9.65mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze