N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3

Nr. stoc RS: 124-2249Producator: VishayCod de producator: SUP70040E-GE3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.65mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Inaltime

15.49mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

Taiwan, Province Of China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

Incercati din nou mai tarziu

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

€ 3,34

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 3,975

Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,34

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 3,975

Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3
Informatii despre stoc temporar indisponibile.
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 3,34€ 16,70
50 - 120€ 2,38€ 11,90
125 - 245€ 2,14€ 10,70
250 - 495€ 1,89€ 9,45
500+€ 1,72€ 8,60

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.65mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Inaltime

15.49mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Tara de origine

Taiwan, Province Of China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor