N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215

Nr. stoc RS: 124-2289Producator: NexperiaCod de producator: BSS138BK,215
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,10

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,119

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215

€ 0,10

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,119

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138BK,215
Informatii indisponibile despre stoc

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Rola
3000 - 3000€ 0,10€ 300,00
6000 - 12000€ 0,09€ 270,00
15000 - 27000€ 0,07€ 210,00
30000 - 57000€ 0,07€ 210,00
60000+€ 0,06€ 180,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Maximum Power Dissipation

420 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe