NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23

Nr. stoc RS: 124-2284Producator: NXPCod de producator: BF861C,215
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare JFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 25mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Numar pini

3

Dimensiuni

3 x 1.4 x 1mm

Inaltime

1mm

Latime

1.4mm

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

NXP BF861C,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 25mA, 3-Pin SOT-23
Informatii indisponibile despre stoc

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 25mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Tip pachet

SOT-23 (TO-236AB)

Numar pini

3

Dimensiuni

3 x 1.4 x 1mm

Inaltime

1mm

Latime

1.4mm

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Tara de origine

China

Detalii produs

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe