N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC Infineon IRFP4468PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
290 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
520 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
360 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 6,87
Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 8,175
Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 6,87
Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 8,175
Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 6,87 | € 171,75 |
| 50 - 100 | € 6,31 | € 157,75 |
| 125+ | € 6,00 | € 150,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
290 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
520 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
360 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse