N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3306PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Latime
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
9.02mm
Dimensiune celula
HEXFET
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,85
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 1,012
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 0,85
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 1,012
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.66mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Latime
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
9.02mm
Dimensiune celula
HEXFET
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse